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由于紫外輻射對有機體與無機體都有強烈的影響，因而在工業、農業、醫藥衛生、以及環境監測領域有著廣泛的應用，相應地也催生了龐大的紫外線傳感器件及其應用產品市場。面向高端紫外傳感應用的迫切需求，鎵芯光電主要研發和生長基于新一代寬帶半導體材料的高性能紫外光傳感器。
目前，按照所使用半導體材料禁帶寬度的不同，半導體紫外傳感器件可分為兩大類：一類是基于常規半導體材料（如：Si、GaAs、InP等）的光電二極管，另一類則是基于新型寬禁帶半導體（如：GaN、SiC等）的光電二極管。基于常規半導體材料的光電二極管技術已經較為成熟，但由于這些半導體材料的禁帶寬度比較小，所對應探測器的響應截止邊一般都位于可見光波段。因此，要想使這些光電二極管有選擇性地工作在紫外波段，則需要在這些探測器上加裝特殊設計的、價格很貴的濾波片（filter）。
由于太陽光到達地面的輻射中，可見光是普通紫外光（365 nm）強度的104倍以上，上述提到的濾波片需要具有很高的抑制比，制作難度較高。此外，這些濾波片在過濾掉高強度可見光的同時，還會濾掉相當部分需要探測的紫外光，導致加裝濾波片的紫外探測系統量子效率大為降低。相比之下，鎵芯光電所開發的基于新型寬禁帶半導體的光電二極管技術恰恰可以有效解決以上問題。
以碳化硅（SiC）和III族氮化物為代表的寬禁帶半導體是近年來國內外重點研究和發展的新型半導體材料，具有禁帶寬度大、導熱性能好、電子飽和漂移速度高以及化學穩定性優等特點，用于耐高溫、高效能的高頻大功率器件以及工作于紫外波段的光探測器件，具有顯著的材料性能優勢。其中SiC材料體系中的4H-SiC半導體，其禁帶寬度為3.23 eV，是制備可見光盲紫外探測器（響應邊<400 nm）的優選材料；而III族氮化物體系的(Al)GaN材料，其帶寬可隨Al組分的變化在3.4～6.2 eV之間連續改變，對應光吸收波長變化范圍為200~365 nm，覆蓋了大氣臭氧層吸收日盲區（240~280 nm），特別適合制備新一代的日盲深紫外探測器。基于寬禁帶半導體的光電傳感器器與傳統的硅基紫外傳感器相比具有明顯的優勢。
主要優點包括：1.更高的靈敏度；2.可直接實現可見光盲或日盲操作、無需加增濾光片；3.可在高溫、強輻射等惡劣環境下工作。
